近日，全球知名半导体制造商ROHM宣布成功开发出针对150V GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）的8V栅极耐压技术，这一突破性成果有望显著提升功率器件的可靠性和性能表现。
技术背景与意义
随着电力电子系统对高效率、高功率密度的需求日益增长，GaN器件凭借其优异的电子迁移率和开关特性，成为新一代功率半导体技术的焦点。传统GaN HEMT的栅极耐压通常较低，限制了其在高压应用中的稳定性和使用寿命。ROHM此次开发的8V栅极耐压技术，通过优化材料和结构设计，有效提升了栅极的电压耐受能力，为150V GaN HEMT在工业设备、数据中心电源和新能源汽车等领域的应用提供了更可靠的技术支撑。
技术关键创新
ROHM的技术团队在开发过程中聚焦于栅极介电层和界面工程的优化。通过采用新型绝缘材料和精密的制造工艺，成功将栅极耐压从行业常见的5V水平提升至8V。这一进步不仅降低了栅极漏电流，还显著增强了器件的抗过压和抗浪涌能力，从而延长了GaN HEMT的使用寿命。该技术还兼顾了低导通电阻和高开关频率的优势，有助于实现更高效的功率转换。
应用前景与影响
凭借8V栅极耐压技术，ROHM的150V GaN HEMT器件可广泛应用于高可靠性场景，如服务器电源、车载充电系统和可再生能源逆变器。该技术不仅能够提升系统整体效率，还能减少散热需求和器件尺寸，推动电子设备向小型化、轻量化方向发展。ROHM计划在未来一年内将该技术投入量产，并与合作伙伴共同推动GaN功率解决方案的普及。
结语
ROHM此次技术开发再次彰显了其在功率半导体领域的创新实力。通过突破栅极耐压瓶颈，该公司为GaN技术的商业化应用注入了新动力，有望加速全球能源效率的提升和绿色电子产业的发展。
